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產品詳情 / Product Details位置: 首頁 > 亿万先生產品 > YTC300-MCZ電子級單晶爐

主要性能指標


爐室資料Puller Data
單晶直徑Crystal diameter:12〞- 18〞
裝料量Charge size:450kg
喉管直徑Throat Diameter:28”~36”
主爐膛內徑Main furnace Diameter:Φ1300mm
主爐膛高度Main furnace Height:1938mm

爐門開口尺寸 Pull Chamber Door Opening: 520mm×2800mm

喉管直徑(Throat Diameter):Φ500 mm

主真空泵抽速Vacuum Pumps-Main: 221 cfm (6,260 l/min)

輔助真空泵抽速(Recommended) Aux: 60 cfm (1,700 l/min)

副室類型Deputy room type:全開門Full-door 

爐蓋類型Lid Type:穹頂 Dome或扁平 Flat
磁場類型Field type:勾型、水平型(可選)hook type, horizontal type (optional)
有導流筒提升、激光測距、CCD控徑
There draft tube upgrade, laser ranging, CCD control path
可提供二次加料providing secondary feed


坩堝驅動單位Crucible drive unit
提升速度( Lifting speed):0-4mm/min
最快提升速度(Fast Seed Lift Rate):(≥150mm/min) 

行程 Stroke:800mm
轉速 Rotation speed:0-20 rpm


晶驅動單位 Crystal drive unit

籽晶提升慢速(Seed Lift Rate):0-8 mm/mim

籽晶提升快速(Fast Seed Lift Rate):620 mm/min

籽晶行程(Seed Travel):4000 mm

籽晶旋轉(Seed Rotation):0-30 rpm


廠務要求Utilities
電源電壓(Source Voltage):380V±10%
頻率(Frequency):50/60 Hz
主變壓器(Main Transformer):320 KVA
副變壓器(Subsidiary Transformer):67 KVA
環境溫度(Ambient Temperature):5~40
相對濕度(Relative Humidity):<70%
入口端最高水溫(Maximum Inlet Temperature) 77°F (25℃)
最小流量(Minimum Flow Rate):≥400 L/min
入口出口壓力差(Diff. Supply Pressure):2.0-3.0 bar
主氬氣流量(Mass Flow Control Max.):100-200 L/min
壓力(Pressure):3.5-5 bar
壓縮空氣(Air)
極限真空(Ultimate Vacuum):≤30m Torr
泄漏率(Leakage Rate):≤40m Torr/h
可控壓力范圍(Controllable Pressure Scope):10-50 Torr
推薦壓力(Recommended Supply Pressure):4-7 bar
消耗量(Consumption):100 L/爐次


控制系統System Control
自動過程Automatic process
標準PLC/PC控制control by PLC/PC. Equipped as standard


外形尺寸Dimensions(approx.)
總高度 (closed):8,311mm
寬 Width (W):2,500mm
深 Depth (D):3,424mm