浙江亿万先生半導體有限公司 致力于半導體設備領域里開創新局面!

加入收藏 | 設為首頁 | 站點地圖

服務熱線:0577-62723111

產品詳情 / Product Details位置: 首頁 > 亿万先生產品 > YTC6000電子級單晶爐

主要性能指標


爐室資料 Puller Data
坩堝直徑 Crucible  diameter:14〞- 18〞
單晶直徑 Crystal diameter:4〞- 8〞
裝料量 Charge size:60 kg
喉管直徑 Throat Diameter:10 ”(254 mm)
主爐膛內徑 Main furnace Diameter:¢1120 mm
主爐膛高度 Main furnace Height:1480 mm
爐門開口尺寸 Pull Chamber Door Opening: 11”×68”(280 mm×1727 mm)
主真空泵抽速 Vacuum Pumps-Main:221 cfm (6,260 1/min)
輔助真空泵抽速(Recommended) Aux:60 cfm (1,700 1/min)
排氣方式Exhaust:底排氣Exhaust end
副室類型Deputy room type:全開門Full-door
爐蓋類型Lid Type:穹頂Dome
磁場類型Field type:勾型、水平型(可選)hook type, horizontal type (optional)
有導流筒提升、激光測距、CCD控徑
There draft tube upgrade, laser ranging, CCD control path
可提供二次加料providing secondary feed


坩堝驅動單位 Crucible drive unit
提升速度 Lifting speed:0-10 in/hr (0-254 mm/hr)
最快提升速度 Crucible Jog Speed:2.0 in/min (50.8 mm/min)
行程Stroke:11.5〞(292 mm)
轉速Rotation speed:0-20 rpm


籽晶驅動單位 Crystal drive unit
提升速度 Lifting speed:0-20 in/hr (0-508 mm/hr)
快速提升速度 Seed Jod Speed:20 in/min (508 mm/min)
轉速 Rotation speed:0-50 rpm


廠務要求 Utilities
電源電壓(Source Voltage):380 V±10%
頻率(Frequency):50/60 Hz
加熱功率(Heating Power):260 KW底部加熱5 0KW
環境溫度(Ambient Temperature):5~40
相對濕度(Relative Humidity):<70%
入口端最高水溫(Maximum Inlet Temperature):77°F (25℃)      
最小流量(Minimum Flow Rate):78 gpm (295 1/min) total
入口出口壓力差(Diff. Supply Pressure):30 psi (2.1 kg/cm2)  
主氬氣流量(Mass Flow Control(Max.)):200 slpm
吹掃流量 (Purge Flow):100 slpm
合計(Facility Total):300 slpm
推薦壓力 Recommended Supply Pressure:75 psi (5.3 kg/cm2)
壓縮空氣(Air)
推薦壓力 Recommended Supply Pressure:90 psi (6.3 kg/cm2)


控制系統 System Control
自動過程 Automatic process
標準PLC/PC控制 control by PLC/PC. Equipped as standard


外形尺寸 Dimensions(approx.)
總高度 (closed):5,109mm
寬 Width (W):1,702mm
深 Depth (D):1,302mm