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產品詳情 / Product Details位置: 首頁 > 亿万先生產品 > YTC6K-Ge鍺單晶生長爐

主要性能指標


爐室資料Puller Data
坩堝直徑 Crucible  diameter: 14"-18"
單晶直徑 Crystal diameter: 4"-8"
裝料量 Charge size:120 kg
喉管直徑 Throat Diameter:10" (254 mm)
主爐膛內徑 Main furnace Diameter:Φ762 mm 

主爐膛高度 Main furnace Height:1067 mm 

爐門開口尺寸 Pull Chamber Door Opening: 11"×68"(280 mm×1727 mm)
主真空泵抽速 Vacuum Pumps-Main:148 cfm (4200 l/min)
輔助真空泵抽速(Recommended) Aux:21.2 cfm (600 l/min)
排氣方式 Exhaust:底排氣 Exhaust end
副室類型 Deputy room type:全開門 Full-door
爐蓋類型 Lid Type:穹頂Dome 或扁平 Flat
磁場類型 Field type:勾型、水平型(可選)hook type, horizontal type (optional)
有導流筒提升、激光測距、CCD控徑
There draft tube upgrade, laser ranging, CCD control path
可提供二次加料 providing secondary feed


坩堝驅動單位 Crucible drive unit
提升速度 Lifting speed:0-10 in/hr (0-254 mm/hr)
最大行程 Total Crucible Travel:2.0 in/min (50.8 mm/min)
行程 Stroke:11.5"(292 mm)
轉速 Rotation speed:0-20 rpm (可逆)


籽晶驅動單位 Crystal drive unit
提升速度Lifting speed:0-20 in/hr (0-508 mm/hr)
快速提升速度Seed Jod Speed:20 in/min(508 mm/min)
轉速Rotation speed:0-50 rpm (可逆)


廠務要求Utilities
電源電壓(Source Voltage):380 V±10%
頻率(Frequency):50/60 Hz
加熱功率(Heating Power):165 KW底部加熱50 kW
環境溫度(Ambient Temperature):5~40
相對濕度(Relative Humidity):<70%
入口端最高水溫(Maximum Inlet Temperature):77°F (25 ℃)      
最小流量(Minimum Flow Rate):50 gpm (185 L/min) total
入口出口壓力差(Diff. Supply Pressure):30 psi (2.1 kg/cm2
主氬氣流量(Mass Flow Control(Max.)):200 slpm
吹掃流量(Purge Flow):100 slpm
合計(Facility Total):300 slpm
推薦壓力Recommended Supply Pressure:75 psi(5.3 kg/cm2
壓縮空氣(Air)
推薦壓力Recommended Supply Pressure:90 psi(6.3 kg/cm2)


控制系統 System Control
自動過程 Automatic process
標準PLC/PC控制 control by PLC/PC. Equipped as standard



外形尺寸 Dimensions(approx.)
總高度 (closed):5,620mm
寬 Width (W):2,000mm
深 Depth (D):2,795.8mm